先進封裝布局傳捷報。外媒報導，英特爾的EMIB-T先進封裝技術良率已突破九成，預計明年開始量產，成本只要台積電（2330）CoWoS的一半，轟動業界，並成功拿下訂單，、Meta等大咖也正評估採用。

由於目前先進封裝產能仍供不應求，外界預期，英特爾EMIB-T現階段不至於分食台積電先進封裝生意，而是分擔客戶需求，但有助英特爾未來搶攻更多訂單，強化自家晶圓代工業務整體實力，最終目的仍是要與台積電競爭。

市場盛傳英特爾先進封裝後段良率已提升至90%以上，達到可量產水準，不過英特爾過往沒有發布良率相關數字，公司並未置評。

外媒《Wccftech》報導，EMIB-T的成本約比台積電CoWoS低50%，主因EMIB-T無需使用成本高昂的大面積矽中介層。

據了解，英特爾EMIB-T至少已贏得聯發科ASIC指標性案件。聯發科在4月法說會僅透露正投資兩種封裝技術方案，且會與這兩種方案的夥伴緊密合作，提供客戶優質高效益的解決方案。

聯發科日前於法說會進一步透露，會協助客戶運用CoWoS與EMIB-T技術，開發各種超大晶片尺寸的高效能ASIC，證實採用英特爾的先進封裝方案。

英特爾先前公布可單獨承接先進封裝業務。該公司EMIB 2.5D封裝方案是嵌入使用面積非常小的矽橋搭配多層布線，來取代其他方案使用的大面積矽中介層，並支援高頻寬記憶體（HBM）整合，標榜最適合當前的AI應用，可提供高頻寬、低延遲的die-to-die連接，更彈性的小晶片配置，以及較低成本與製造複雜度。

根據英特爾釋出的資料，在EMIB 2.5D方案中，EMIB-T版本加入矽穿孔（TSV）技術，強化垂直供電，並支援從其他封裝技術轉換設計。外媒報導，英特爾先進封裝正吸引外部客戶對其晶圓代工業務的關注。EMIB技術能讓設計人員使用2D、2.5D與3D的建構模組，在系統層級最佳化成本、功耗及頻寬。