研究機構SemiAnalysis於23日發文指出，3D快閃記憶體（）堆疊層數突破300層，傳統鎢製字元線（word line）已在三方面逼近物理極限，讓「鉬」從製程優化，變成必要的替代材料，意味著NAND製造正迎來關鍵材料轉型。

SemiAnalysis在X上表示，「對300層以上的NAND而言，鉬不是優化選項，而是必要材料」。3D NAND大約十年前就停止橫向微縮，改以垂直堆疊提高儲存密度，但當堆疊層數超過約300層後，連接各記憶單元的鎢製字元線便面臨三大物理瓶頸：電阻過高、含氟化學製程導致漏電，以及超深孔難以有效填充。

相較下，鉬在奈米維度互連線的電阻較低，可提升讀寫速度，且不需要使用含氟化學製程，可避免漏電問題，在高深寬比結構中的填充能力也更好。這三項優勢正好對應鎢在高層數堆疊中面臨的核心缺陷，因此，從鎢轉向鉬是技術上的必要轉變。

根據NAND供應商鎧俠和威騰電子公開的測試結果，無氟鉬製程可將漏電失效率降至鎢製程的百分之一，並在相同矽體積下，將位元密度提高逾16.3%。但可靠度仍取決於填充品質。

SemiAnalysis指出，業界目前量產NAND的堆疊層數多為200-300層，鎧俠和SanDisk目前採用218層，美光採276層，三星電子為286層，SK海力士則以321層領先。如今，300層以上至400層以上的技術升級已全面展開。SK海力士計劃在年底前推出375層產品，預料進一步拉開領先距離。

SemiAnalysis估計，到了2027年，鉬製程占NAND總產能的比率，將從去年的中個位數升至約30%。鉬沉積設備的銷量也預估在明年突破10億美元，並在2030年增至每年約20億美元。科林研發可望率先受惠；東京威力科創緊隨其後，應材、ASMI以及北方華創，則將從隨後的DRAM及邏輯晶片轉型浪潮中獲益。

這波轉型正值記憶體產業景氣高峰。TrendForce資料顯示，全球前五大NAND品牌廠今年第2季合計營收達688.7億美元，季增77%。高獲利環境也為記憶體業者推動製程轉型與採購設備提供資金。

同時，陸廠長江存儲也蓄勢待發，但該公司NAND堆疊層數尚未進入300層以上的競爭領域。