韓媒報導，根據法院證詞，龍頭長鑫存儲在發展DRAM業務之初，就試圖透過竊取電子的核心技術來開發自家製程節點，是該公司發展策略的一環。

南韓每日經濟新聞報導，首爾中央地方法院日前開庭審理一起三星技術外洩刑事案件，根據以證人身分出庭的三星全姓（Jeon）前員工證詞，長鑫存儲的管理層一開始就沒有打算自行研發製程技術。

他的證詞稱，「長鑫存儲2016年成立時，既無研究機構，也沒有相關設施，執行長與技術長在內的管理層，並無意自行研發技術，從一開始就企圖取得的製程配方（PRP），用來開發DRAM」。

換句話說，這項意圖是長鑫存儲商業計畫中的關鍵環節，而非臨時起意之舉。

這名全姓證人在三星服務28年，後於2016年轉職長鑫存儲。他在今年4月被判處七年徒刑，理由是非法取得三星DRAM製程相關的600道製程配方，特別是涉及18奈米級製程的部分。

檢方從2024年1月至去年12月調查此案後認定，長鑫存儲延攬三星電子前高階主管及員工後，將外洩的製程資訊依照當地設備進行修改與驗證，最終成功量產10奈米級DRAM。因此，檢方以涉嫌違反國家核心技術外洩相關法規，起訴全某在內共十名長鑫存儲研發人員，指控他們參與洩露三星電子技術給長鑫存儲。

DRAM業者從元件開發到進入量產，通常需要花費三到五年。對新進業者而言，若未取得前期智慧財產（IP）授權，或由外部完成關鍵開發工作，從零開始所需時間可能更接近五年。三星開發18奈米級製程就花了五年。

長鑫存儲2019年開始以22奈米級製程量產DDR4 SDRAM，2023年便以18奈米級製程技術量產記憶體，引發外界質疑，該公司22奈米級第一代製程，是否運用或改造三星的製程技術與製成配方，或是助其開發後來的18奈米級製程。

一般來說，照抄製程配方，不見得能直接建立可運作的製程，但詳細配方可大幅縮短開發時間。竊取技術者還會透過拆解市售產品、進行逆向工程，來掌握電晶體架構或實體設計的全貌。

有了製程配方與由逆向工程取得的資訊，經驗豐富的DRAM工程師便可重建一大部分的技術，製程整合工程師也能省下數年反覆試錯的時間。