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李在明政治豪賭…爭奪AI新疆界 韓5年砸1.16兆美元

李在明政治豪賭…爭奪AI新疆界 韓5年砸1.16兆美元

南韓政府29日宣布,將透過公私合作的方式,由三星電子和SK海力士領軍,推進「三大超級計畫」,將大舉投資半導體、資料中心和機器人,總投資規模約1800兆(韓元,下同,約1.16兆美元),以鞏固南韓在AI與半導體領域的全球領先地位。

南韓總統李在明、三星電子會長李在鎔、SK集團會長崔泰源29日共同舉行記者會,宣布相關投資計畫。其中三星和SK海力士將在南韓西南地區(湖南)合計投資800兆,共興建四座記憶體廠,投資規模超過南韓政府今年度全年預算728兆,也是史上最大記憶體投資案。

由於湖南向來是李在明最堅定的支持地區,此項決策被視為其執政第二年的一場政治豪賭。據南韓中央日報報導,在李在明支持率已出現「死亡交叉」的背景下,執政陣營盼藉此穩定執政中期支持基礎。中央日報指出,執政黨人士坦言,若湖南支持率下滑,將對李在明造成嚴重政治衝擊。

此外,南韓政府也宣布將在未來10年內,斥資1000兆投資AI資料中心。李在明指出,速度是唯一生存之道,我們必須比其他任何國家更快確保AI核心要素。

值得注意的是,南韓這次規畫宣稱會仿效台灣,把投資重心放在非首都圈地區,光州將成為新的記憶體製造重鎮,西南地區則會發展成南韓第二個半導體生產基地,目標是五年內把DRAM產能提高一倍。

南韓產業通商部長金正官在政策說明時,簡報檔秀出附上國旗的台灣地圖,並標出新竹、台中和高雄的三個半導體生產基地,他點出台灣是南韓的主要競爭對手,並以台積電為例,表示從以竹科為生產基地延伸到高雄,達到均衡區域發展。他並強調新竹和高雄雖距離230公里,但並未因此成為半導體生態系發展的阻礙。

根據規畫,三星、SK海力士將推動讓天安和溫陽發展為HBM(高頻寬記憶體)封裝中心,並在東南圈(釜山和慶尚南道等)和大慶圈(大邱和慶尚北道等)建設半導體材料、零部件和裝備生產線。

三星表示,加上先前宣布在平澤和龍仁的投資,該公司規畫在南韓投資額2655兆。SK海力士則宣布1100兆的中長期半導體發展計畫(包括這次西南地區投資400兆)。另外,南韓未來15年將投資30兆,用於開發下一代記憶體、設備端AI晶片和國防半導體。

業界人士稱,三星、SK海力士是全球前兩大DRAM廠,全球市占率逾60%,在全球NAND市占率合計近五成,此次喊出「五年產能翻倍」,雖然AI帶來記憶體市場結構性改變,韓廠鎖定HBM、DDR5、高容量NAND晶片擴充,但在記憶體產能可互相調度調配下,一旦未來市場需求不如預期,恐引發報價雪崩式回跌,不可不慎。

圖為南韓產業通商部長金正官在簡報時,以台灣為例說明分散半導體生產基地。(圖/翻攝KTV直播)
圖為南韓產業通商部長金正官在簡報時,以台灣為例說明分散半導體生產基地。(圖/翻攝KTV直播)

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