為增進NAND快閃記憶體的資訊處理容量、速度，製造商押注NAND堆疊技術，提出HBF（高頻寬快閃記憶體）方案，要採用與HBM（高頻寬記憶體）類似架構，垂直堆疊多層NAND Flash。SanDisk寄望未來能運用此技術，生產高階快閃記憶體，突破HBM短缺瓶頸，繼續把握（AI）商機。
科技資訊網站Wccftech報導，SanDisk的NAND堆疊技術， 是透過多重矽穿孔導通（TSV），連接每一層堆疊的NAND，將之封裝整合成單一堆疊體。目前，單組HBM堆疊容量約為32GB至64GB，而HBF有望將容量最大擴展至4TB。
專家指出，NAND堆疊雖然能夠解決容量與一些速度問題，但未來要符合AI與高效能運算（HPC）的需求，目前還需要再精進。SanDisk現已申請到最新技術專利，以3D堆疊技術，將採用CMOS 鍵合陣列（CBA）架構的NAND Flash記憶體模組，直接放置於主要運算晶片下方；主要晶片可以是AI加速器或是繪圖處理器（GPU）。
SanDisk這個方案，保留HBM DRAM在同一中介層，與NAND Flash各自負責不同目的的工作。HBM立即高速處理資料，NAND Flash記憶體模組則負責大容量儲存與讀寫操作。由於NAND Flash與運算晶片之間採用更寬的連接介面，因此有望在速度、成本與功耗之間取得更佳平衡。
然而，這項專利短期內恐怕還難推出商業化產品，需要克服的門檻包括：功耗、散熱、封裝成本、製造良率等。SanDisk目前推向市場、並朝標準化發展的產品，仍以較為務實且容易商業化的「並排配置」（Beside）架構為主。
