正與軟銀子公司SAIMEMORY攜手開發新一代技術，以取代目前主流的高頻寬記憶體（HBM）。根據TechPowerUp報導，SAIMEMORY6月將在2026年VLSI研討會上介紹其利用Z-Angle Memory（ZAM）技術開發的HB3DM記憶體架構。
HB3DM的主要特色是其超高頻寬表現。報導指出，英特爾有望實現每平方公厘約0.25 Tb/s的記憶體頻寬，換算在171平方公厘晶片上，每10 GB模組的頻寬約為5.3 TB/s，性能將超越HBM4方案，後者每堆疊頻寬約2 TB/s，不到HB3DM預估效能的一半。
在設計方面，第一代 HB3DM將採用九層堆疊結構，並使用混合鍵結（hybrid bonding）技術實現3D整合。底層邏輯層負責資料傳輸，上面覆蓋八層DRAM儲存層，每層約配置13,700個TSV（矽通孔）以支援混合鍵結架構。在容量方面，HB3DM每層可提供約1.125 GB的容量，每個模組的總容量約為10 GB，明顯低於HBM4最高可達48GB的規格，顯示HB3DM目前仍以頻寬優先。
目前尚不清楚HB3DM的量產時程以及DRAM的供應來源，不過英特爾的參與可能意味其未來有機會重新開始生產DRAM，但仍有其不確定性。
英特爾和軟銀正透過SAIMEMORY合作推動新記憶體技術的開發。根據日經XTECH報導，兩家公司正在開發的ZAM技術，專為人工智慧（AI）訓練和推論而設計，目標是在2027年度推出原型，並於2029年度實現商業化。
根據東京電視台商業頻道報導，SAIMEMORY記憶體晶片並非採用傳統的水平堆疊設計，而是採用垂直排列，並結合專有的無線技術，無需直接與電路板接觸，有助於改善散熱並降低功耗，據說能比傳統HBM降低約40%的功耗。
