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三星2奈米製程良率傳提高到60% 比去年下半年翻升兩倍多

三星2奈米製程良率傳提高到60% 比去年下半年翻升兩倍多

南韓媒體報導,自家LSI部門與中國大陸挖礦業者等企業,都向的2奈米環繞式閘極(GAA)技術下單,已幫助三星提高先進微影技術良率至60%,高於1月據傳的50%,更比去年下半年的20%,提高兩倍多。

科技網站Wccf tech引述韓國經濟日報的報導指出,三星2奈米GAA製程的良率在去年下半年只有20%,三星首款2奈米GAA晶片Exynos 2600的平均良率也仍低於50%。但隨著三星成功從中國大陸的嘉楠科技和比特微電子(MicroBT)等比特幣礦機製造商取得晶片訂單,強化提升良率動能。

不過,三星從未公布上一代或這一代微影技術的良率,因此最新良率數據也是透過各種估算來做判斷。

三星的新一代製程仍大幅落後,但可望仰賴晶片訂單激增,縮小差距。三星最大的勝利之一是和特斯拉達成了165億美元的交易,為其量產AI6自駕晶片。三星據傳已設定了一個野心勃勃的目標,今年的2奈米GAA訂單要提升130%。

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