經濟日報援引未具名業內人士消息報導，電子正與輝達合作，加速開發下一代NAND快閃記憶體晶片。

報導指出，由三星半導體研究院、輝達和喬治亞理工學院合組的聯合研究團隊，已成功開發出一種名為「物理資訊神經算子」的，能以比現有模型快逾10,000倍的速度分析鐵電基NAND元件性能。相關研究成果已對外公布。

基於上述成果，三星目前正與輝達合作推進鐵電NAND快閃記憶體的開發與商業化應用。