消息傳出，陸企長鑫存儲（CXMT）開始秘密研發下代「鍵合DRAM」（bonding DRAM），這種記憶體能讓效能和容量最佳化，被視為能顛覆業界的新產品，且只須使用深紫外光（DUV）微影設備就能生產，無須用到在中國遭禁的極紫外光（EUV）。

綜合科技媒體Wccftech、韓媒Korea Economic Daily的報導，微凸塊（microbumps）是連接DRAM晶片的傳統方式，長鑫存儲以「晶圓對晶圓混合鍵合」（W2W）取而代之，讓兩片晶圓準確對齊並熔合。W2W又稱鍵合DRAM，長鑫存儲似乎在安徽合肥測試這種技術，目標要量產高密度記憶體。

鍵合DRAM的另一特點是拆分記憶體陣列與周邊控制邏輯電路，把兩者放在不同晶圓上。如此一來，能用不同製程生產，以確保最佳結果，這兩大技術突破下，可以去除占用空間的傳統微禿塊，避免提高延遲性或增加寄生電阻。

高密度DRAM靠著縮短導線長度來降低耗電，加快傳輸速度，且不需放大晶圓尺寸就能辦到。這能釋出晶圓上的珍貴空間，安裝其他零組件。

不只如此，據了解長鑫存儲也快要開發出高頻寬記憶體（HBM），該公司把20%產線改為專門生產HBM，把未來賭在能研發出HBM3和HBM3E。

分析師指出，中國HBM技術原本落後南韓五年，如今縮短至大約三年。首爾大學電子資工教授崔宇英（音譯）說，中國AI晶片商華為等，若在本土市場優先採用這種技術，並取得實際經驗，良率和穩定性可能會比預期更快出現進展。