電子率先向客戶提供業界最先進的記憶晶片樣本，在供應（NVIDIA）在內晶片設計商 AI加速器的關鍵零組件的競賽中，搶占先機。

表示，已開始將12層HBM4E送樣給主要客戶。三星電子2月也才啟動 HBM4量產，原本規劃第2季送樣，這里程碑凸顯三星電子在高頻寬記憶體（HBM）市場發展迅速。

三星表示，新晶片速度較上一代HBM4提升逾20%，採用最新的1c DRAM製程技術，即第六代10奈米級DRAM，搭配三星4奈米的邏輯基底晶片。

HBM 晶片將動態隨機存取記憶體（DRAM）多層垂直堆疊，既能大幅提升資料傳輸速度，也能降低功耗，如今已成為AI 處理器不可或缺的關鍵元件。

三星搶先布局12層HBM4，有助於強化對抗SK海力士等競爭對手的地位。若能搶先競爭對手取得客戶認證和訂單，將有助於三星在高階記憶體領域重拾動能。三星的客戶涵蓋超微（AMD）、輝達和Google。

SK海力士今年4月表示，目標是在2027年實現HBM4E量產，並計劃在今年下半年向客戶供應HBM4E樣品。